超频D5就是不断调试五个电压，包括CPU上的SA电压、VDDQ电压（也称为IVR）、VDD2电压（也称为MCV），以及内存上的两个电压DRAM VDD和VDDQ，有时候还需要用到VPP。

这里不侧重于内存的两三个电压调节，这里只是简单说一下。在调整这些电压时，尤其要注意温度的影响。内存颗粒的耐温是影响超频后稳定性的一个重要因素。缩放第一时序电压也可以调整缩放，但过大的缩放幅度可能得不偿失。

举个例子，比如海力士小绿条可以在7600频率、1.45V电压下以C34-46-46-58的时序进行稳定的过烧机测试。但如果想将时序压缩到C32-44-44-58，就可能需要1.6V以上的电压。
总体来说，带宽仅提高了1G，延迟减少了1ns，除了看起来数据好看一些，实际作用并不大。

考虑到海力士颗粒的发热情况，以及DDR5对压时序收益不高且发热更严重，建议使用相对宽松的时序跟较低的电压进行测试。一般情况下，海力士A die内存条在1.5V的电压下稳定运行在7600频率是足够的，进一步提高电压并没有太大意义。

如果有风扇，可以不需要额外的散热片，可以放置在IO挡板和双塔散热器之间，这样风可以从IO挡板的一侧吹向内存条，然后再加上一个导风罩来提供内存散热。

另外三大电压和内存电压之间几乎没有关联。我之前以为内存电压会影响 IMC（内存控制器）的稳定性，但是在一次稳住7600后测试发现，我调整内存电压，也不会影响 IMC 的稳定性，所以可以将 CPU VDDQ、VDD2、SA 与 DRAM VDD、VDDQ 分别设置。

很多人表示对于DDR5的这个电压调节感到不理解，不理解为什么调得太低或太高都会导致TM5报错，这让人非常头疼，很难掌握其中的窍门。其实，问题的原因非常简单，那就是内存控制器对温度敏感。这个问题是DDR5超频的真正难题。第12代的IMC在高温下很容易出现问题。

一般温度超过65度就会出错。可惜系统中并没有监测IMC温度的传感器，但我们可以通过观察压力测试时CPU核心温度的变化来做一个大致的估计。IMC只是CPU中的一小部分，温度也不容易散发出去。VDDQ和VDD2电压设置得越高，在高负荷环境下越容易产生热量并导致错误。

虽然13代的IMC对温度耐受性有所改进，但对于一些体质差的CPU来说，温度仍然会产生影响。更麻烦的是，第12代和第13代非K系列的处理器锁SA电压，无法大幅度超频内存。而能够超频内存的K系列处理器一般都具有大规模核心，产生的热量很高。

如果进一步超频，IMC(内存控制器)的压力会非常高，这是需要注意的一点。所以如果你需要大幅度超频内存，一定要有够顶的CPU散热

SA 电压
很多人都说 SA 对稳定高频有帮助，却说不出个怎么帮助法。有时候 SA 给高了报错更多，却不知道为什么。其实我觉得 SA 的作用只有两个：一是协助你 IMC 的频率运行；二是在 IMC 温度上升不再稳定的时候施加电压。

以我超过的 13600KF 为例，假设内存 7600 开机你认为所需的 SA 电压为多少？一般只要 1.15V。低于 1.10V 开机就会花屏。所以 SA 电压发挥了重要的作用。

如果以 1.15V 电压去跑 TM5 1usmus v3 DDR5 配置，大概两分钟就开始疯狂报错。这是由于过高的 VDDQ VDD2 电压让 IMC 快速高温而找不到内存信号。这时候就需要 SA 给更高的电压来帮助稳定运行。

SA 毕竟也是电路元件，电压过高，自身温度更高 IMC 也更热。以13600kf为例子在 7600 频率下，VDDQ 1.32V，VDD2 1.4V，SA 需要给到精准的 1.29V 才能过 y-cruncher 的第 18 项 VST 的 10 轮测试。